原子层沉积
仪器简介: 加工基片仅限:硅片、GaN、二维材料。 沉积温度:25°C到500°C。高于300°C需使用热法盖子,并且在真空环境下降温到300°C以下才能开手套箱闸门。 前驱体:TMA、TEMAHf、TiCl4、TDMAS、Be[Et]2。 氧化物:氧气、等离子体氧、去离子水、臭氧。 氮化物:氨气、等离子体氨。 沉积薄膜:Al2O3、HfO2、BeO、AlN、TiN、SiO2、TiO2以及以上材料的任意堆叠或者混合多元化合物。
设备参数
仪器类别:    原子层沉积
仪器型号:    TFS200
生产厂家:    芬兰倍耐克
主要功能:    将物质以单原子层生长模式沉积在基底表面
组成结构:    基本系统、手套箱、干式真空泵、循环水冷却器、等离子系统、臭氧发生器等
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