光刻机
仪器简介: 紫外曝光分辨率:小于0.8μm。 加工基板尺寸:非标尺寸碎片至最大4英寸圆片,厚度0.1mm到1mm 。 掩膜板尺寸:3英寸至5英寸(边长)。 对准范围:X≧±40mm、Y≧±25mm、θ≧±5º。工作台位移精度0.1μm。 对准精度:正面±0.5μm。 曝光方式:真空接触,硬接触、软接触和微力接触曝光
设备参数
仪器类别:    光刻机
仪器型号:    MBJ4
生产厂家:    德国/苏斯
主要功能:    把掩膜版上的图形转移到涂有光刻胶的晶圆上
组成结构:    曝光头、显微系统、对准工作台、电气控制台、备附件等
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